Решено Panasonic TH-42PV60RH, горит прекондишн
Это информационный блок по ремонту телевизоров
Неисправности ТВ
Если у вас есть вопрос по неисправности телевизора и определении дефекта, Вы должны создать свою, новую тему в форуме. По этой теме в форуме уже рассмотрены следующее:
Начинающие мастера, и не только, часто ищут принципиальные схемы, схемы соединений, блоков питания, пользовательские и сервисные инструкции. На сайте они размещены в специально отведенных разделах и доступны к скачиванию гостям, либо после создания аккаунта:
Большинство справочной литературы можно скачать в каталоге «Энциклопедия ремонта», и на отдельных страницах:
При создании вопросов по электронным компонентам используемых в телевизионной аппаратуре, указывайте точный тип корпуса, либо фотографию. Наиболее распространены:
Programmer (программатор)
Это устройство для записи (считывания) информации в память микросхем или другое устройство. При смене прошивки телемастера выбирают программаторы, недостатки и достоинства которых рассмотрены в отдельных темах:
Краткие сокращения
Желающим подключиться к обсуждениям
После регистрации аккаунта на сайте Вы сможете опубликовать свой вопрос или отвечать в существующих темах. Участие абсолютно бесплатное.
Ответ в тему Panasonic TH-42PV60RH, горит прекондишн как и все другие советы публикуются всем сообществом. Большинство участников это профессиональные мастера по ремонту и специалисты в области электроники.
Возможность поиска по всему сайту и файловому архиву появится после регистрации. В верхнем правом углу будет отображаться форма поиска по сайту.
Rjk5010 чем заменить транзистор
добавлю сразу на мосфеты серии АРМ****нужно обращать пристальное внимание
G-ЗАТВОР S-ИСТОК D-СТОК
мосфеты повсеместно используються как силовые транзисторы импульсных и линейных устройств стабилизаторов, регулирующие и переключающие устройства
в этой теме попробуем наглядно обьяснить
как проверить мосфет
как заменить и чем заменить
а так-же собрать минимум информации о аналогах и критичной замене, если получиться то и более
Смотрим даташиты, и в некоторых видим нормированное RDS(ON) при различных VGS (ON).
полевики NTMFS4744N меняются на HAT2165H, замена корректна
Следует однако учесть, что в таких случаях транзисторы обычно находятся на одном теплоотводе, и максимально приближены к друг другу, для наименьшего влияния сопротивления и индуктивности проводников.
На халяву попала видюха(GIGABYT GV-N98TGR-512I),залитая молоком,после промывки и проверки,греются Q521(4744N),Q522,Q545(4835N)-питающие память и сам проц греется. эх не повезло,думал рабочаяя.
. | JMCJ писал: |
| Я профи ремонтом не занимаюсь. поменял на APM 2512N |
Оно и видно. Лучше вам вообще забросить это дело, и заняться чем-то попроще
| Сообщение Администрации : | ||||||||||||
Удалено | Видеокарта Sapphire FLEX HD 7950 3GB GDDR5 | Anatoliibad2, Не понятно что надо вам? Или просто транзюки показать какие на видяхе |
мне надо найти аналог | Что на них написано? | я бы к 1му посту добавил еще, что быстродействие играет роль (динамические характеристики). «медленный» транзистор будет греться пр работе в ШИМ-преобразователе, даже если у него низкое сопротивление открытого перехода; такой прибор может быть предназначен для работы в статичном режиме (в цепи зарядки, например) | Прошу помощи в поиске аналога,вылетели парой IXTQ22N60P.Стоят в блоке питания в 42 плазме.Даташит в нете есть,а вот с подборкой туго.Может кто сталкивался? стоят в батарейном источнике питания какой то мед приблуды. | IRL3705NS STB80NF55L-08T4 Полный аналог ДОБАВЛЕНО 08/04/2016 18:31 LR024 N STD12NF06LT4 Полный аналог ДОБАВЛЕНО 08/04/2016 18:32 FR9024N STD10PF06T4 Полный аналог Элемент U19. Маркировка: Заранее Всем спасибо за содействие![/b] | Глупый вопрос наверное, но если вместо mosfeta на 100V 10A я поставил 600V 5A, он через себя сможет прокачивать только 5 или 10 ампер? | Здравствуйте, подскажите пожалуйста, будет ли корректная замена мосфета PH7030L на PSMN7R0-30YL, стоит в цепи питания видеокарты | Mordoc, А здеся шо, открытая консультация по мосфетам? Для этого есть собственный раздел по даташитам, см. внимательно титульный лист форума. Элемент U19. Маркировка: |
Код SMD: JB-
Корпус: SOT-89
Наименование: RT9166-25PXL
Источник: http://www.s-manuals.com/ru/smd/jb
Код SMD: B3-
Корпус: SOT-89
Наименование: RT9169-14PX
Источник: http://www.s-manuals.com/ru/smd/b3
На видяхе NVIDIA GeForce 9800 GT, PCI-E 2.0, 550 МГц, 1024 Мб GDDR3 1600 МГц 256 бит сгорели (пробило на проч кз на всех выводах) 2шт- M3004D из 6шт все находятся в районе разъёмов vga,подскажите чем можно заменить или нужны только точно такие?
Мать GIGABYTE GA-8I945GZME-RH
Аналогичная ситуация,после неправильного подключения кнопки питания
На картинке оставшиеся заглавные буквы

Так что-же это?!
Транзистор на плате 9435 P-канальный полевик, или N-канальный P3057G QHE11
Заранее благодарю за ответ.
если исток на корпусе то наверняка N ch
если исток на какой либо линии+ питания то P ch
а может то вообще стаб
исток обычно справа снизу если читать надпись
Но и это тоже дня через два закончилосью
Помогите определить что это и каковы его функции
Ну кто нибудь может подсказать что это за транзистор
Помогите пожалуйста подобрать аналог вышедшему из строя мосфету с маркировкой A5 GNE 601V06
Буду благодарен всем кто откликнется.
ДОБАВЛЕНО 08/01/2017 16:23
Помогите найти аналог транзисторов
ДОБАВЛЕНО 08/01/2017 16:24
Rjk5010 чем заменить транзистор

Наименование прибора: IRFH5010
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.6 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 65 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm

IRFH5010 Datasheet (PDF)
0.1. irfh5010pbf.pdf Size:301K _international_rectifier
0.2. irfh5010pbf.pdf Size:254K _infineon
IRFH5010PbFHEXFET Power MOSFETVDS100 VRDS(on) max 9.0 m(@VGS = 10V)Qg (typical)67nCRG (typical)1.2ID PQFN 5X6 mm100 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Secondary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick ApplicationsFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDSon (
7.1. irfh5015pbf.pdf Size:214K _international_rectifier
7.2. irfh5015pbf.pdf Size:272K _infineon
IRFH5015PbFHEXFET Power MOSFETVDS 150 VRDS(on) max 31 m(@VGS = 10V)Qg (typical) 36 nCRG (typical) 1.7 ID PQFN 5X6 mm44 A(@Tmb = 25C)Applications Primary Side Synchronous Rectification Inverters for DC Motors DC-DC Brick Applications Boost ConvertersFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDSon (
IGBT транзисторы используемые в плазменных телевизорах PDP. (1/1)
16 Дек 2018 19:44 #1
IGBT транзисторы используемые в плазменных телевизорах PDP.
2PG011 540V 40A 40W Vse 2.5V N-ch. TO-220F
AP85GT33SW 330V 90A 150W IGBT TO-3P
AP88N30W 300V 48A 312W 48Mom N-ch.TO-247
DG301 330V 40A TO-220F И TO-263
DG302 300V 250A TO-263 DG3C3020CL
DG402RP 430V 40A N-ch. TO-220F аналог DG3D4020CSRP,HGTP20N60C3, RJP63F3D
FDPF33N25T 250V 20A 94W 0.094om N-ch. TO-220F аналог FDPF51N25R,FDPF44N25T
FDPF51N25 250V 28A 0.060om 117W N-ch.TO-220F
FGA90N33ATD 330V 90A 223W TO-3P
FGD4536 360V 220A 125W TO-252
FGPF30N45T 450V 30A 50W TO-220F
FGPF4536 360V 220A 28.4W Vce=1.59V TO-220F
FGPF4633 330V 300A Vce 1.55A 30W TO-220F
FGPF4636 360V 60A TO-220F
FGPF50N33BT 330V 50A 43W N-Ch. Vce-1.6 IGBT TO-220F
FGPF70N30T 300V 70A 52W VCE =1.4V TO-220F
FGPF70N33 330V 70A 48W TO-220F
GT30F122 300V 120A 120W Vce-2.4 TO-220F
GT30F123 300V 200A Vce-2.1 25W TO-220F
GT30F124 300V 200A 25W Vce-2.3 TO-220F
GT30F125 330V 200A Vce-1.9 TO-220F
GT30F126 330V 200A 18W TO-263
GT30F131 360V 200A 140W Vce-1.9 TO-263
GT30F133 300V, 30A, TO-252 TO-263 и TO-220
GT30G122 400V 120A 25W Vce-2.6 TO-220F
GT30G123 430V 200A 25W Vce-2.2 TO-220F
GT30G124 430V 200A Vce-2.5 TO-220F
GT30G125 430V 200A 25W Vce-2.1 TO-220F аналог GT30G123, DG402RP,DG3D4020CSRP
GT30J124 600V 200A PULSE 26W TO-220F
GT30J127 600V 200A 25W TO-220F
GT30J322 600V 30A 75W TO-247
GT45F122 300V 200A 25W Vce-2.2 TO-220F
GT45F123 300V 200A 29W Vce-1.95 TO-220F
GT45F128 330V 200A 26W Vce-1.45 TO-220F
GT45G122 300V 200A Vce = 2.2V 25W TO-220F
GT45G128 430V 200A Vce=1.55 26W TO-220F
IRFP4332 250V 57A 29mom 360W TO-3P аналог AP88N30
IRFS52N15D 150V 51A 230W D-2PAK
IRG7R313U 330V 40A 78W TO-252 аналог 30J124,30F133
IRG7S313U 330V 40A 78W TO-263 аналог RJP30H2
IRG7SC28U 60A 225A 171W D2PAK
IRGP4086 300V 250A 160W TO-247
R5007 500V 7A 40W 1.3om N-ch. TO-220F аналог KF7N60
R6015ANX 600V 15A 0.3om 50W TO-220F
RCJ330N25 250V 33A 211W N-ch. TO-263
RCJ450N20 200V 45A 40W 42mom N-ch. TO-263
RCX200N20 200V 20A 40W 130Mom N-ch. TO-220F
RFN20NS3SW TO-263 PANASONIC
RGH3044 360V 30A 20W TO-220F
RJH3077 330V 50A Vce=1.6V TO-247
RJH30A3 300V 30A TO247
RJH30E2 360V 30A 120W TO-220F
RJH30E3 360V 40A TO-220F
RJH60F4 600V 60A 235W VCE 1.4 V TO-247
RJK6026 600V 5A 28W N-ch.TO-200F
RJP3034 аналог RJP30E2DPP, RJP30E3DPP, GT30F125
RJP3043 330V 50A TO-247
RJP3044 360V 30A TO-220F
RJP3045 360V 35A 25W TO-220F
RJP3047 330V 50A TO-3P
RJP3049 330V 65A IGBT TO-3P
RJP3053 300V 30A Vce-2.0 TO220F
RJP3054 300V 40A Vce=1.8V TO-220F
RJP3063 300V 30A Vce-1.7V TO-220F
RJP30E2 360V 35A 25W N-ch. IGBT TO-220F аналог RJP30E3DPP, GT30F125,RJP3034DPP
RJP30E3 360A 40A 60W VCE = 1.6 V TO-3P
RJP30H1 360V 200A 40W N-ch. TO-252
RJP30H2 360V 35A 60W VCE = 1.4 V TO-247
RJP30H2A 360V 250A 60W TO-263 аналог G7S313U
RJP43F4A 430V 40A TO-220F
RJP4584 450V 35A TO-220FP
RJP4585 400V 200A PIC 29W TO220F
RJP56F4 430V 200A 30W TO-220F
RJP6055 600V 20A IGBT TO-220F
RJP6065 630V 40A 50W N-ch. TO-3P и TO-220F
RJP63F3 630V 40A 30W N-Ch. TO-220F аналог RJP6065DPP
Диодный мост KBPC5010 (MB5010)
| Средний прямой ток | IFAV | 50 А |
| Обратное напряжение | URRM | 1000 В |
| Цена | KBPC5010 (MB5010) | 90,30 руб. |
Диодный мост KBPC5010 (MB5010) — однофазный двухполупериодный преобразователь переменного тока в постоянный пульсирующий. Используется в электрических цепях с нагрузкой до 50 ампер и обратным напряжением 1000 вольт. Отличается низким прямым падением напряжения и достаточно высокой перегрузочной способностью.
Корпус диодного моста KBPC5010 изготовлен из металла, где все компоненты электрически изолированы эпоксидной смолой (сплошная заливка в единую капсулу). Эпоксидная смола характеризуется как материал с высоким уровнем огнестойкости — UL94-V0.
На корпусе указывается маркировка изделия, а также отметки полярности выводов для подключения. Выводы выполнены в виде плоских клемм шириной 6,35 мм с отверстиями. Крепление к ним проводов — с помощью подпайки или клемм типа «мама» 6,35 мм. Если в конце маркировки диодного моста серии KBPC присутствует «W», то выводы — проволочные.
При работе на больших токах диодный мост KBPC5010 рекомендуется всегда устанавливать совместно с теплоотводом (радиатором, охладителем) для поддержания оптимального теплового режима эксплуатации. В центральной части корпуса производителем уже предусмотрено сквозное отверстие специально для крепежа.
Диодные мосты KBPC широко применяются в различных устройствах и оборудовании: преобразователи, блоки питания бытовой, офисной и промышленной техники, схемы управления электродвигателями, зарядные устройства, регуляторы мощности и прочее.
Расширенные характеристики, детальные размеры, расшифровка маркировки, распиновка выводов и схема подключения диодных мостов KBPC5010 указаны ниже.
Гарантийный срок работы диодных мостов KBPC5010, поставляемых нашей компанией, составляет 2 года, что подкрепляется соответствующими документами по качеству.
Окончательная цена на диодные мосты KBPC5010 зависит от объема заказа (количества), сроков поставки, производителя, страны происхождения и формы оплаты.
Подробные характеристики диодных мостов KBPC5010:
| Диодный мост KBPC5010 | ||
| Тип диодного моста | однофазный | |
| Рабочая частота | 50-60 Гц | |
| Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии при температуре корпуса TC=+55 °C | IFAV | 50 А |
| Максимально допустимое повторяющееся импульсное обратное напряжение | URRM | 1000 В |
| Максимально допустимый обратный ток при температуре TА=+25 °C | IR | 5 мА |
| Максимальный импульсный (ударный) ток в открытом состоянии при 60 Гц, полупериод, 1 цикл, TА=+25 °C | IFSM | 500 А |
| Значение интеграла от квадрата неповторяющегося импульсного прямого тока диода за длительность одного импульса при t=8,3 мс | i 2 ·t | 840 А 2 ·c |
| Импульсное прямое напряжение | UFM | 1,1 В |
| Емкость перехода диода | СJ | 300 пФ |
| Диапазон температур перехода | TJ | -55 °C … +125 °C |
| Диапазон температур хранения | Tstg | -55 °C … +150 °C |
| Материал корпуса | металл | |
| Электрическая изоляция корпуса | 1800 В | |
| Габаритные размеры | ШхГxВ | 31x31x21,4 мм |
| Масса | W | 22 г |
Расшифровка обозначений маркировки диодного моста KBPC5010:
| KBPC | 50 | 10 | (MB5010) |
| KBPC | – | Серия диодного моста. |
| 50 | – | Значение среднего прямого тока IFAV: 50 = 50 A. |
| 10 | – | Кодировка обратного напряжения URRM: 10 = 1000 В. |
| (MB5010) | – | Серия аналога. |
Схема диодного выпрямительного моста KBPC5010:
Габаритные и установочные размеры диодного моста KBPC5010:
Фото диодного моста KBPC5010:
Конструктивные особенности диодных мостов KBPC:
Однофазный двухполупериодный преобразователь сконструирован по 4-диодной схеме Гретца («мост Гретца») с незначительным эквивалентом активного внутреннего сопротивления. На вход (обозначается как «Input» или тильдой «
Принципиально в работе электрической схемы нет отличия в размещении отдельной композиции из 4-х диодов или одного компонента — диодного моста KBPC. Однако во втором случае создаются дополнительные преимущества:
– диодный мост дает гарантированные одинаковые характеристики каждого диода, в то время как отдельные детали из разных партий изготовления могут иметь различные параметры даже при условии выбора одного и того же производителя;
– помещенные в единый корпус диоды подвергаются одинаковому нагреву, а значит эксплуатируются в благоприятном тепловом режиме (-55 °C … +125 °C), что продлевает период их работы;
– установка диодов в электрической схеме требует дополнительного теплоотвода, это решается установкой радиаторов или охладителей, при использовании диодного моста вместо отдельных диодов понадобится только один радиатор вместо 4-х отдельных;
– конструктивно диодный мост более компактен и занимает меньше места на печатной плате.
Материал корпуса диодного моста может быть 2-х типов: негорючий термостойкий пластиковый полимер или электрически изолированный металл. В каждом из них внутренние компоненты полностью капсулируются эпоксидной смолой, которая имеет высокий уровень огнестойкости (UL94-V0). В корпусе мостов KBPC имеется центральное монтажное отверстие для крепления радиатора под винт.


Удалено 












